Descripción
El
rápido crecimiento de las tecnologías semiconductoras aplicadas a diferentes
ramas de la ciencia ha propiciado que el diseño asistido por computadora de
tecnologías (CAD, por sus siglas en inglés) se convierta en una parte
fundamental del proceso de desarrollo de las mismas. En este trabajo se presenta
el modelado de un transistor bipolar de heterounión de SiGe utilizando el
enfoque de circuito eléctrico y el ajuste del mismo para las curvas de los
parámetros de dispersión, comparándolas con resultados medidos en laboratorio.
Así mismo, se presenta un estudio sobre el ruido del dispositivo.
Pacheco
Sánchez, A. U. el at. (2010). Optimización del modelo en pequeña señal del
transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido . Científica:
La Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica, 14(2), pp. 115-119.
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