Spatially Photoluminescence Spectroscopy of InAs/InGaAs Quantum Dot Nanostructures

Añadido por asistente2@acuedi.org - Jan 20, 2014 - Ingeniería Electromecánica

Descripción

La espectroscopia de fotoluminiscencia (FL) de barrido fue realizada en puntos cuánticos (QD) autoensamblados embebidos dentro de heteroestructuras de multipozos cuánticos de In0.15Ga0.85As/GaAs crecidos por epitaxia de haces moleculares. Dos tipos de heteroestructuras son usadas para la creación de una nueva generación de láseres para comunicaciones por fibra óptica. Una fuerte inhomogeneidad de la intensidad de FL es observada por las muestras mapeadas con diferente composición de In/Ga de las capas que cubren los puntos cuánticos en el pozo cuántico. Dos diferentes comportamientos en los mapas de los puntos cuánticos son claramente observados e identificados: 1) una reducción en la intensidad de FL es acompañada con un desplazamiento monótono al "azul" del máximo de la FL a temperatura ambiente y 2) la degradación de la intensidad de FL igual a la estable posición del pico del máximo de FL.


Velázquez Lozada, E., León Vega, C. & Quino Cerdán, J. M. (2011). Spatially Photoluminescence Spectroscopy of InAs/InGaAs Quantum Dot Nanostructures. Científica: La Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica, 15(2), pp. 89-92.

Comentarios