Descripción
En
este trabajo se presenta el estudio de fotoluminiscencia a 80 K e investigación
de espectroscopia de fotoluminiscencia de barrido del estado base y de varios
estados excitados a 80 y 300 K en puntos cuánticos (QD) de InAs embebidos en
estructuras simétricas In0.15Ga0.85As/GaAs de pozos cuánticos (QW) creadas a
diferentes temperaturas de crecimiento de QD. Se muestra que algunas de las
estructuras investigadas presentan una
variación espacial de largo alcance del tamaño promedio de los QD a través de
la muestra. Esta falta de homogeneidad de largo alcance en el tamaño de los QD
se utilizó para la investigación de la energía de los estados multiexcitados
con la energía del estado base (o tamaño del QD). Los resultados experimentales
se compararon con la tendencia de la energía del nivel electrón-hueco en
comparación con el tamaño de los QD predicho teóricamente en la base de la
aproximación de las ocho bandas k.p. Cierta correlación entre los resultados
experimentales y teóricos han sido revelados y se discuten.
Velázquez
Lozada, R., Quino Cerdan, J. M. & Espinosa Cisneros, J. I. (2012). Ground and
Excited States Energy in InAs Quantum Dots in a Well InGaAs/GaAs Structures. Científica:
La Revista Mexicana de Ingeniería Electromecánica, 16(3), pp. 107-110.
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